半导体六层三维工序实验室

METHOD & REFERENCES

资料与模型尾注

1. 模型展示功能结构与因果关系，尺寸、台数、工位距离与动画速度经过教学简化。设备外形不对应厂商真实 CAD，流水线也不对应任何公司的厂房布局。
2. 六层是研究分工，不是六段严格串行的生产工艺。测试和量测会在构建过程反复插入；测量结果也会回到设计、工艺开发和编排。本页的橙色连线表示数据反馈，其他连线表示当前流程的正向传递。
3. 编排与计算设计使用算子、计算图、芯片版图等对象显示信息处理关系，不代表软件具有实体机械结构。部件展开只用于解释层级与接口。
4. 参数实验使用明确标注的假设值。公式用于观察方向与约束，不输出公司实际产能、良率、估值或采购预测。参数结果不等同于设备厂商规格。
5. 堆叠良率实验采用独立事件乘积，省略 KGD 筛选、修复冗余与相关缺陷。测试实验算的是负载与有效吞吐，测试时间乘以插入次数本身是机时负载，不是吞吐率。
6. 采样实验采用独立、均匀抽样与完美检出的教学假设。光学散射可以发现小于波长的缺陷；缺陷检出与把其形状分辨成像并非同一个指标。
7. 电力实验区分站点总电力、IT 电力、机架额定功率与设备利用率。没有把 1 GW 直接除以单颗芯片 TDP，也不假设所有项目使用相同的冷却、网络和配电配置。
8. 「上市公司与行业逻辑」一节列出的公司表示其在该层承担的行业角色与公开披露，不等于已确认进入某一客户的物料清单；每条关键数字标注了证据等级（公告、管理层口径、第三方估算、媒体报道）。
9. 研究文稿为本次六层研究的 2026-09-20 快照。新闻、管理层指引、第三方估算与本文推导应按各自口径阅读；不应将公司在本层出现理解为已确认进入 OpenAI 的物料清单。